Samsung Electronics memulai produksi massal semikonduktor 3-nanometer, meningkatkan kinerja disimpul proses pembuatan chip paling canggih. Chip 3-nanometer generasi berikutnya dibangun diatas teknologi Gate-All-Around, yang menurut Samsung pada akhirnya akan memungkinkan pengurangan area hingga 35 persen sambil memberikan kinerja 30 persen lebih tinggi dan konsumsi daya 50 persen lebih rendah, dibandingkan dengan proses FinFET yang ada. Kemajuan dalam teknologi pembuatan chip yang canggih diharapkan dapat membawa lebih banyak pelanggan Samsung yang mencari semikonduktor inovatif dan kuat yang akan memungkinkan produk teknologi lebih cepat dan lebih efisien. (antara-tbu)